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調査報告書は、基準年2023年の世界磁気抵抗RAM（MRAM）市場の規模と2024年から2031年の間の予測を発表しています。そしてアプリケーションセグメントは、グローバルおよびローカル市場向けに提供されています。

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主要メーカーの詳細：

SK Hynix, Cobham, Crocus Nanoelectronics, Honeywell International Inc., Spin Transfer Technologies, Intel Corp., NXP Semiconductors, NVE Corporation, Nippon Electric Company Ltd., Hewlett-Packard Enterprise, Infineon Technologies, Spin Transfer Technologies, Samsung Electronics Co. Ltd., Toshiba, Everspin Technologies Inc., Avalanche Technology Inc.

このレポートは次のようにも分割されています。

• MRAMを切り替えます

• 第二世代MRAM（STT - MRAM）

グローバル磁気抵抗RAM（MRAM）市場に関する研究は、現在の市場シナリオと新たな成長の原動力について、重要かつ深い洞察を提供することを目指しています。 磁気抵抗RAM