"断熱ゲートバイポーラトランジスタIGBT市場は2023年に7.4億7,000万米ドルと評価され、2031年までに14.6億億米ドルに達すると予測されており、2024年から2031年まで7.8％のCAGRで成長しています。

この調査レポートには、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ IGBTの市場で上昇している技術も描かれています。 市場の成長を後押しし、グローバル市場で成功するための積極的な推進力を与える要因について詳しく説明します。

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このレポートでは、以下のメーカーが各企業の売上、収益、市場シェアの観点から評価されています。

Toshiba Corporation, ABB Group, Renesas Electronics Corp., STMicroelectronics N.V., Mitsubishi Electri